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电源用PMOSFET 12P05 TO-252
电源用PMOSFET 12P05 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:12P05
产品封装:TO-252
产品标题:电源用PMOSFET 12P05 TO-252 -55V国产常用MOS MOS场效应管替换
咨询热线:0769-89027776

产品详情


电源用PMOSFET 12P05 TO-252 -55V国产常用MOS MOS场效应管替换



电源用PMOSFET 12P05的引脚图:

image.png



电源用PMOSFET 12P05的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-55V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)-12A
漏极电流-连续(TA=70℃)-8.4
IDM漏极电流-脉冲-36
PD总耗散功率(TA=25℃)12W
RθJA
结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC结到管壳的热阻80
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



电源用PMOSFET 12P05的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-55-58
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-5A


95120
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-3A


115160
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.65-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
4.6
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4
Qgd栅漏电荷密度
1.62
Ciss输入电容
531
pF
Coss输出电容
59
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
17.4
ns
tr开启上升时间

5.4


td(off)关断延迟时间
37.2
tf
开启下降时间
2.4


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