P沟道MOS管3P06 SOT23-6 -60V场效应管 增强型PMOS管
P沟道MOS管3P06的主要参数：
VDS=-60V
ID=-3.8A
RDS(ON)＜150mΩ@VGS=10V(Type：125mΩ)
P沟道MOS管3P06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | -3.8 | A |
| 漏极电流-连续(TA=70℃) | -2.4 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -12 | |
| PD | 总耗散功率(TA=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P沟道MOS管3P06的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -67 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 125 | 150 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 158 | 200 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.62 | |||
| Ciss | 输入电容 | 531 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 59 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 37.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.4 |
扫二维码进入手机网站