国产低压PMOS管 30P04 PDFN3X3-8L 应用于电源MOS管 MOSFET选型
国产低压PMOS管 30P04的主要参数：
VDS=-40V
ID=-30A
RDS(ON)＜28mΩ@VGS=-10V(Type：20mΩ)
国产低压PMOS管 30P04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
国产低压PMOS管 30P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -30 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -21 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -90 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 109 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -30 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 35 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.6 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产低压PMOS管 30P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -45 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-8A | 20 | 28 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 25 | 32 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1415 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 134 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 102 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 59 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.5 |
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