-30V低压P沟道MOS管190P03 TO-220 大电流MOSFET 直插PMOS管
-30V低压P沟道MOS管190P03的主要参数：
VDS=-30V
ID=-190A
RDS(ON)＜3.2mΩ@VGS=-10V(Type：2.5mΩ)
-30V低压P沟道MOS管190P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -190 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | -125 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -700 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 876 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -70 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 150 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.06 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
-30V低压P沟道MOS管190P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -35 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 2.5 | 3.2 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 4 | 5.2 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 130 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 31 | |||
| Ciss | 输入电容 | 7000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 820 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 540 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 65 | |||
| tf | 开启下降时间 | 37 |
扫二维码进入手机网站