常用低压PMOS管70P03 TO-263 MOSFET选型 13mΩ 低内阻贴片MOS管
常用低压PMOS管70P03的应用领域：
锂电池保护
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常用低压PMOS管70P03的引脚图：
常用低压PMOS管70P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -78 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | -57 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -130 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 125 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -50 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 37 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.36 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
常用低压PMOS管70P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -34 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 8.8 | 13 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 14 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.4 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2215 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 310 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 237 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 73.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 61.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 24.4 |
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