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贴片P沟道MOS管 70P03 PDFN3X3-8L
贴片P沟道MOS管 70P03 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:70P03
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:贴片P沟道MOS管 70P03 PDFN3X3-8L 锂电保护MOS管 MOS管选型大全
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片P沟道MOS管 70P03 PDFN3X3-8L 锂电保护MOS管 MOS管选型大全



贴片P沟道MOS管 70P03的主要参数:

  • VDS=-30V

  • ID=-70A

  • RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V(Type:5.8mΩ)



贴片P沟道MOS管 70P03的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



贴片P沟道MOS管 70P03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-30V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-70A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-200A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:125mJ

  • 雪崩电流 IAS:-40A

  • 总耗散功率 PD:69W

  • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.6℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



贴片P沟道MOS管 70P03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-34
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-20A


5.88

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


811
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.4
-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
35
nC
Qgs栅源电荷密度
9.9
Qgd栅漏电荷密度
10.5
Ciss输入电容
3520
pF
Coss输出电容
465
Crss反向传输电容
370
td(on)开启延迟时间
10.8
ns
tr开启上升时间
13.2
td(off)关断延迟时间
73
tf
开启下降时间
35


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