贴片低压PMOS管60P02 TO-252 MOS管选型 60V/20A 常用MOSFET
贴片低压PMOS管60P02的应用领域:
电池保护
负载开关
不间断电源(UPS)
贴片低压PMOS管60P02的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:-20V
栅极-源极电压 VGS:±12V
漏极电流-连续 ID:-60A
漏极电流-脉冲 IDM:-200A
总耗散功率 PD:60W
结到环境的热阻 RθJA:75℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:3.6℃/W
存储温度 TSTG:-55~150℃
工作结温 TJ:-55~150℃
贴片低压PMOS管60P02的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -22 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 8 | 12 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-5A | 11 | 16 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.65 | -1 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 63 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 9.1 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
Ciss | 输入电容 | 1600 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 350 | |||
Crss | 反向传输电容 | 300 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 15 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 110 | |||
tf | 开启下降时间 | 70 |