宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 贴片低压PMOS管60P02 TO-252

产品分类

Product Categories
贴片低压PMOS管60P02 TO-252
贴片低压PMOS管60P02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60P02
产品封装:TO-252
产品标题:贴片低压PMOS管60P02 TO-252 MOS管选型 60V/20A 常用MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片低压PMOS管60P02 TO-252 MOS管选型 60V/20A 常用MOSFET



贴片低压PMOS管60P02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源(UPS)



贴片低压PMOS管60P02的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:-60A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-200A

  • 总耗散功率 PD:60W

  • 结到环境的热阻 RθJA:75℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:3.6℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



贴片低压PMOS管60P02的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


812
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-5A


1116
VGS(th)
栅极开启电压-0.4-0.65-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度

9.1


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
1600
pF
Coss输出电容
350
Crss反向传输电容
300
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

15


td(off)关断延迟时间
110
tf
开启下降时间
70


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map