20VPMOSFET管30P02 PDFN3X3-8L 应用于电源PMOS管 低压国产MOS替代
20VPMOSFET管30P02的主要参数：
VDS=-20V
ID=-30A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-4.5V(Type：16mΩ)
20VPMOSFET管30P02的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源（UPS）
20VPMOSFET管30P02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -30 | A |
| 漏极电流-连续(TC=70℃) | -15 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -48 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 24 | W |
| 总耗散功率(TC=70℃) | 21.5 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4.2 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
20VPMOSFET管30P02的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -24 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 16 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 22 | 28 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.5 | -0.6 | -1.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 242 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 231 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 31 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 28 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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