贴片N+P沟道MOS管15G10 TO-252-4 低内阻MOSFET替换 低压N+PMOS
贴片N+P沟道MOS管15G10的主要参数：
1、N-CH：
VDS=100V
ID=17.8A
RDS(ON)＜120mΩ@VGS=10V(Type：85mΩ)
2、P-CH：
VDS=-100V
ID=-12.8A
RDS(ON)＜290mΩ@VGS=-10V(Type：235mΩ)
贴片N+P沟道MOS管15G10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | -100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 17.8 | -12.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 8.9 | -7.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 52.5 | -38.4 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 28 | 18 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 7 | -6 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 23 | 21.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5.4 | 5.4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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