低内阻N+P沟道MOS管30G03 TO-252-4 贴片N+PMOS 场效应MOS管大全
低内阻N+P沟道MOS管30G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=38A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-35A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-10V(Type：16mΩ)
低内阻N+P沟道MOS管30G03的引脚图：
低内阻N+P沟道MOS管30G03的最大额定值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 38 | -35 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 21 | -18.1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 90 | -85 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | 22 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 28 | 23 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 46 | 46 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 6 | 6 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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