12V低压N+N沟道MOS管8804 PDFN3X3-8L 电池保护用MOS管 MOSFET替换
12V低压N+N沟道MOS管8804的主要参数：
VDS=12V
ID=40A
RDS(ON)＜4.3mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)＜5.6mΩ@VGS=2.5V
12V低压N+N沟道MOS管8804的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
12V低压N+N沟道MOS管8804的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 12 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±8 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 40 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 35.6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 100 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 31 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 3.6 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 35 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
12V低压N+N沟道MOS管8804的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 12 | 18 | 21 | V |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 2.3 | 3.3 | 4.3 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4V,ID=3A | 2.4 | 3.4 | 4.4 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=3.1V,ID=3A | 2.6 | 3.6 | 4.7 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 3 | 4 | 5.6 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=1.8V,ID=3A | 4 | 5.4 | 7.6 | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.4 | 0.6 | 1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | uA | ||
| Qg | 栅极电荷(4.5V) | 38 | nC | ||
| 栅极电荷(3.9V) | 33 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3165 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 380 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 325 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 41 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 77 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
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