1000V/1.7A 高压N沟道MOS管2N100 SOT223-3L 贴片小封装MOS管 通用MOS
高压N沟道MOS管2N100的主要参数：
VDS=1000V
ID=1.7A
RDS(ON)＜9600mΩ@VGS=10V(Type：8000mΩ)
高压N沟道MOS管2N100的应用领域：
不间断电源 UPS
功率因数校正 PFC
高压N沟道MOS管2N100的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 1000 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 1.7 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 0.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 6 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 90 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 3 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 0.36 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 36 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 100 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.47 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
高压N沟道MOS管2N100的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 1000 | 1100 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4.5A | 8000 | 9600 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 16 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 308 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 32 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 6.2 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 35 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 12 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 85 | |||
| tf | 开启下降时间 | 53 |
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