大封装高压NMOS管 9N90 TO-247 电源用插件MOS 国产常用场效应管
大封装高压NMOS管 9N90的主要参数：
VDS=900V(Type：1000V)
ID=9A
RDS(ON)＜1000mΩ@VGS=10V(Type：920mΩ)
大封装高压NMOS管 9N90的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因数校正
大封装高压NMOS管 9N90的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 900 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 9 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 5.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 36 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 576 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 9 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 53 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 31.2 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 48 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
大封装高压NMOS管 9N90的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 900 | 1000 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4.5A | 975 | 1200 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 38 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2752 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 206 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 36 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 33 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 57 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 270 | |||
| tf | 开启下降时间 | 91 |
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