国产高压场效应管03N60 SOT-23 贴片600VMOSFET 大功率N沟道MOS管
国产高压场效应管03N60的应用领域：
负载开关
PWM应用
电源管理
国产高压场效应管03N60的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 600 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 0.03 | A |
| 漏极电流-连续 TA=100℃ | 0.02 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 0.12 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 0.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 250 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
国产高压场效应管03N60的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 600 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=0V,ID=3mA | 350 | 700 | Ω | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=16mA | 400 | 800 | |||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 1.14 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 0.37 | |||
| Ciss | 输入电容 | 50 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 4.53 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1.08 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 55.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 56.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 136 |
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