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200VN沟道MOS管 40N20 TO-263
200VN沟道MOS管 40N20 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40N20
产品封装:TO-263
产品标题:200VN沟道MOS管 40N20 TO-263 国产MOSFET 不间断电源用NMOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


200VN沟道MOS管 40N20 TO-263 国产MOSFET 不间断电源用NMOS管



200VN沟道MOS管 40N20的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压200
V
VGS栅极-源极电压±30
ID

漏极电流-连续

40A
IDM漏极电流-脉冲112
EAS单脉冲雪崩能量
588mJ
IAR雪崩电流28A
PD总耗散功率 TC=25℃158W
RθJA结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC结到管壳热阻0.79
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



200VN沟道MOS管 40N20的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压200

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=14A


5065
VGS(th)
栅极开启电压234V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
103136nC
Qgs栅源电荷密度

16
Qgd栅漏电荷密度
53
Ciss输入电容
28793742pF
Coss输出电容
362470
Crss反向传输电容
81105
td(on)开启延迟时间
2869
ns
tr开启上升时间

251

494
td(off)关断延迟时间
309617
tf
开启下降时间
220412


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