宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » 宇芯微产品 » MOS管 » 中低压MOS管 » 贴片中低压场效应管5N15 SOP-8

产品分类

Product Categories
贴片中低压场效应管5N15 SOP-8
贴片中低压场效应管5N15 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:5N15
产品封装:SOP-8
产品标题:贴片中低压场效应管5N15 SOP-8 常用MOSFET 150V/5A 场效应管应用
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片中低压场效应管5N15 SOP-8 常用MOSFET 150V/5A 场效应管应用



贴片中低压场效应管5N15的应用领域:

  • 汽车照明

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



贴片中低压场效应管5N15的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压150V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)5A
漏极电流-连续(TC=100℃)3.1
IDM漏极电流-脉冲15
PD总耗散功率(TC=25℃)2W
总耗散功率(TA=25℃)1.1
RθJA
结到环境的热阻70℃/W
RθJC结到管壳的热阻3.9
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



贴片中低压场效应管5N15的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压150170
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=7A


260320
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


300380
VGS(th)
栅极开启电压11.63V
IDSS零栅压漏极电流


1μA
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
17.5
nC
Qgs栅源电荷密度

4.5
Qgd栅漏电荷密度
4.7
Ciss输入电容
538
pF
Coss输出电容
55
Crss反向传输电容
21
td(on)开启延迟时间
11.6
ns
tr开启上升时间

9.3


td(off)关断延迟时间
29.3
tf
开启下降时间
3.7


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map