低内阻大封装NMOS管220N10 TO-247 100V/220A 电源用MOSFET 功率MOS管
低内阻大封装NMOS管220N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 220 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 180 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 840 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 500 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 106.8 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 296 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.42 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 40 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低内阻大封装NMOS管220N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 2.1 | 2.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 150 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 34 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 26 | |||
| Ciss | 输入电容 | 8800 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1290 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 40 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 30.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 68 | |||
| tf | 开启下降时间 | 12.4 |
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