100V/15A低压MOSFET YS15N10D TO-252国产场效应管替换 常用MOS管
100V/15A低压MOSFET YS15N10D的应用领域：
UPS 不间断电源
逆变器系统
100V/15A低压MOSFET YS15N10D的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 15 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 10 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 60 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 55 | W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.72 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 |
100V/15A低压MOSFET YS15N10D的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 95 | 110 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 100 | 130 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.2 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 632 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 37 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 21 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 32.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4.3 |
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