电源管理低压MOS管 YS20N06D TO-252 60V/20A场效应管 N型MOS管
电源管理低压MOS管 YS20N06D的应用领域：
负载开关
PWM应用
电源管理
电源管理低压MOS管 YS20N06D的极限值：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 20 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 13 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 80 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 40 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 23 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 6.5 | ℃/W |
电源管理低压MOS管 YS20N06D的电特性：
（如无特殊说明，TJ=25℃）
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 26 | 33 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 33 | 45 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极总电荷 | 20.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1269 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 61.3 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 54.3 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 15 | |||
| tf | 开启下降时间 | 24 |
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