电源管理低压MOS管40N10 TO-220 国产通用MOS管 100VN沟道场效应管
电源管理低压MOS管40N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 38 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 18 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 100 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 27 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 160 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 53.4 | A |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 4.65 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
电源管理低压MOS管40N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 108 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 18 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 28 | 38 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.8 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 22.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 822 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 310 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 23.5 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7.6 |
扫二维码进入手机网站