宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » 宇芯微产品 » MOS管 » 中低压MOS管 » 无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L

产品分类

Product Categories
无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L
无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:75N04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L低内阻MOSFET国产替换场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L低内阻MOSFET国产替换场效应管



无刷电机用低压MOS管75N04的应用领域:

  • 无线充电

  • 手机快充



无刷电机用低压MOS管75N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)75A
漏极电流-连续(TA=70℃)44
IDM漏极电流-脉冲250
EAS单脉冲雪崩能量36mJ
IAS雪崩电流27A
PD总耗散功率 TA=25℃42W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻25℃/W
RθJC
结到管壳的热阻3.0



无刷电机用低压MOS管75N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4047
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


4.55.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


5.87.6
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
9.7
nC
Qgs栅源电荷密度
3.2
Qgd栅漏电荷密度
4
Ciss输入电容
1204
pF
Coss输出电容
536
Crss反向传输电容

51


td(on)开启延迟时间
4.8
ns
tr开启上升时间
8.6
td(off)关断延迟时间
23
tf
开启下降时间
15.2


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map