福斯特 FIR10N20LG TO-252 贴片低压MOS管 增强型NMOSFET
贴片低压MOS管FIR10N20LG的极限值：
（如无特殊说明，Ta=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 200 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
漏极电流-连续 TJ=25℃ | ID | 10 | A |
| 漏极电流-连续 TJ=100℃ | 7 | ||
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 160 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 9 | A |
| 功耗 | PD | 72 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
贴片低压MOS管FIR10N20LG的电特性：
（如无特殊说明，Ta=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=160V,TC=125℃ | 10 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A | 0.4 | Ω | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 710 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 85 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 22 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=100V,ID=9A,RG=25Ω | 11 | 25 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 70 | 140 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 60 | 120 | |||
| 开启下降时间 | tf | 65 | 130 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=160V,ID=9A,VGS=10V | 22 | 30 | nC | |
| 栅源电荷密度 | Qgs | 4 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 11 |
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