60V/16A低压N沟道MOS管FIR16N06DG SOP-8 贴片场效应管
60V/16A低压N沟道MOS管FIR16N06DG的应用领域：
DC/DC 转换器
适用于高频率开关和同步整流
60V/16A低压N沟道MOS管FIR16N06DG的极限参数：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 60 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 | ID | 16 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 10.2 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 64 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 211 | mJ |
| 功耗 | PD | 3.1 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
60V/16A低压N沟道MOS管FIR16N06DG的电特性：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 60 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 2 | 3 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=8A | 10 | 13 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=8A | 14 | 16 | ||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,F=1.0MHz | 4300 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 290 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 26 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=50V,ID=14A,RG=1.6Ω,VGS=10V | 25 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 95 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 154 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 77 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=50V,ID=14A,VGS=10V | 88 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 17 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 15 |
60V/16A低压N沟道MOS管FIR16N06DG的封装外形尺寸图：
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