100VN沟道MOS管FIR80N10LG TO-252贴片中低压场效应MOSFET
100VN沟道MOS管FIR80N10LG的极限参数：
（如无特殊说明，Tj=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 80 | A |
| 漏记电流-脉冲 TC=25℃ | IDM | 160 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 30 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 72 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 |
100VN沟道MOS管FIR80N10LG的电特性：
（如无特殊说明，Tj=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 26 | 35 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=6A | 40 | |||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1190.6 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 194.6 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 4.1 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDS=50V,ID=10A,RG=2.2Ω,VGS=10V | 17.8 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 3.9 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 33.5 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 3.2 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=50V,ID=8A,VGS=10V | 19.8 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 2.4 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 5.3 |
100VN沟道MOS管FIR80N10LG的封装外形尺寸图：
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