低压插件NMOS管 FIR96N08PG TO-220低内阻场效应管
低压插件NMOS管 FIR96N08PG极限参数：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 80 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 96 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 67 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 368 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 625 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 146 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~175 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~175 |
低压插件NMOS管 FIR96N08PG电特性：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=80V,VGS=0V | 10 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 6.2 | 7.2 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 6396 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 387 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 256 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=30V,ID=40A,RL=15Ω,VGS=10V,RG=2.5Ω | 23 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 51 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 66 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 23 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=50V,ID=40A,VGS=10V | 117 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 28 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 40 |
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