FIR24N50APTG TO-3P大封装高电压NMOSFET 福斯特场效应管
大封装高电压NMOSFET FIR24N50APTG的极限值：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 24 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 15.2 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 56 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1100 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 24 | A |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 290 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
大封装高电压NMOSFET FIR24N50APTG的电特性：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=400V,TC=125℃ | 10 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10A | 0.3 | Ω | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 3500 | 4500 | pF | |
| 输出电容 | Coss | 520 | 670 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 55 | 70 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=250V,ID=24A,RG=25Ω | 80 | 170 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 250 | 500 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 200 | 400 | |||
| 开启下降时间 | tf | 155 | 320 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=400V,ID=24A,VGS=10V | 90 | 120 | nC | |
| 栅源电荷密度 | Qgs | 23 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 44 |
大封装高电压NMOSFET FIR24N50APTG的封装外形尺寸图：
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