高压NMOSFET场效应管FIR14N65FG TO-220F 650V福斯特MOS管
高压NMOSFET场效应管FIR14N65FG的特点：
低门极电荷
低反向传输电容
快速切换
封装：TO-220F
高压NMOSFET场效应管FIR14N65FG的极限值：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 14 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 11 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 56 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 820 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 45 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
高压NMOSFET场效应管FIR14N65FG的电特性：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=650V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=7A | 0.6 | 0.7 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1670 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 169 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 6.2 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=325V,ID=14A,RG=24Ω | 29.27 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 44.07 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 69.73 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 39.87 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=520V,ID=14A,VGS=10V | 28.43 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 9.79 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 7.92 |
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