高压MOS管FIR9N90FG TO-220F N沟道MOSFET 900V场效应管
高压MOS管FIR9N90FG的极限值：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 900 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 9 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 5.45 | ||
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 9 | A |
| 功耗(TJ=25℃) | PD | 60 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
高压MOS管FIR9N90FG的电特性：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 900 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=900V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=720V,Tc=125℃ | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 3 | 5 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=4.5A | 1.4 | Ω | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2630 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 175 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 14 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=450V,ID=9A,RG=25Ω | 50 | 110 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 120 | 250 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 100 | 210 | |||
| 开启下降时间 | tf | 75 | 160 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=720V,ID=9A,VGS=10V | 45 | 58 | nC | |
| 栅源电荷密度 | Qgs | 13 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 18 |
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