200V/18A中低压MOSFET FIR19N20PG TO-220场效应管替代 NMOS管
中低压MOSFET FIR19N20PG的特点：
低电容
良好的开关特性
封装：TO-220
中低压MOSFET FIR19N20PG的极限值(如无特殊说明，TA=25℃)：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 200 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
| 漏极电流-连续(TC=25℃) | ID | 18 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 11.9 | ||
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 160 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 18 | A |
| 功耗(TA=25℃) | PD | 90 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
中低压MOSFET FIR19N20PG的电特性(如无特殊说明，TA=25℃)：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=160V,TC=125℃ | 10 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=9A | 0.18 | Ω | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1230 | 1670 | pF | |
| 输出电容 | Coss | 200 | 260 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 25 | 33 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=100V,ID=18A,RG=25Ω | 16 | 40 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 133 | 275 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 38 | 85 | |||
| 开启下降时间 | tf | 62 | 135 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=160V,ID=18A,VGS=10V | 20 | 26 | nC | |
| 栅源电荷密度 | Qgs | 5.6 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 10 |
扫二维码进入手机网站