100V低压MOSFET福斯特FIR15N10LG TO-252贴片NMOS管
贴片NMOS管FIR15N10LG的应用领域：
笔记本的电源管理
便携式设备
电池供电系统
负载开关
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贴片NMOS管FIR15N10LG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 15 | A |
| 功耗 | PD | 35 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~150 | ℃ |
贴片NMOS管FIR15N10LG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 3 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=8A | 80 | 100 | mΩ | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz | 700 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 70 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 50 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=50V,RL=5Ω, VGEN=10V,RG=1Ω | 11 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 30 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 35 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 3.5 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=80V,ID=10A,VGS=4.8V | 22 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 4 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 7 |
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