650V/10A高压NMOS管TO-263 FIR10N65RG贴片MOSFET
贴片MOSFET FIR10N65RG的特点：
低门极电荷
低反向传输电容
快速切换
贴片MOSFET FIR10N65RG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 10 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 520 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 10 | A |
| 功耗 | PD | 60 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 |
贴片MOSFET FIR10N65RG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=300V,VGS=0V | 0.1 | μA | ||
| VDS=520V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 5 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 0.72 | 0.9 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2100 | 2240 | pF | |
| 输出电容 | Coss | 166 | 215 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 18 | 24 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=300V,ID=10A,RG=25Ω | 23 | 55 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 66 | 150 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 144 | 300 | |||
| 开启下降时间 | tf | 77 | 165 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=480V,ID=10A,VGS=10V | 43 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 25 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 18 |
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