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120N04 TO-220F 塑封N沟道MOS管
120N04 TO-220F 塑封N沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N04
产品封装:TO-220F
产品标题:国产替换 120N04 TO-220F 塑封N沟道MOS管 40V/120A 电源专用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产替换 120N04 TO-220F 塑封N沟道MOS管 40V/120A 电源专用MOS管



塑封N沟道MOS管 120N04的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



塑封N沟道MOS管 120N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:120A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:440A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:195mJ

  • 雪崩电流 IAS:42A

  • 总耗散功率 PD:108W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.44℃/W



塑封N沟道MOS管 120N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4044
V
RDS(ON)

静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


3.54.3

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


5.47.5
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
65
nC
Qgs栅源电荷密度
12.5
Qgd栅漏电荷密度
15
Ciss输入电容
5595
pF
Coss输出电容
411
Crss反向传输电容
340
td(on)开启延迟时间
12
ns
tr开启上升时间
16
td(off)关断延迟时间
39
tf
开启下降时间
15

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