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50N04 SOP-8 40V低压NMOS管
50N04 SOP-8 40V低压NMOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50N04
产品封装:SOP-8
产品标题:宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低压NMOS管 电机用场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低压NMOS管 电机用场效应管



电机用场效应管 50N04的应用领域:

  • BMS

  • 无刷直流电机

  • UPS 不间断电源



电机用场效应管 50N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)50A
漏极电流-连续(TC=100℃)30
IDM漏极电流-脉冲300
EAS单脉冲雪崩能量525mJ
PD总耗散功率 TC=25℃130W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻35℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.5



电机用场效应管 50N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4047
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


2.53.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


3.85
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=40V,VGS=0V



1uA
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
95
nC
Qgs栅源电荷密度
15
Qgd栅漏电荷密度
11
Ciss输入电容
3162
pF
Coss输出电容
1099
Crss反向传输电容
157
td(on)开启延迟时间
12.5
ns
tr开启上升时间
7
td(off)关断延迟时间
50
tf
开启下降时间
8.5


宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低压NMOS管 电机用场效应管


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