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10N04 SOT89-3L 40V/10A 低压NMOSFET
10N04 SOT89-3L 40V/10A 低压NMOSFET
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10N04
产品封装:SOT89-3L
产品标题:汽车照明MOS管 10N04 SOT89-3L 40V/10A 低压NMOSFET 国产替换
咨询热线:0769-89027776

产品详情


汽车照明MOS管 10N04 SOT89-3L 40V/10A 低压NMOSFET 国产替换



汽车照明MOS管 10N04的产品应用:

  • 汽车照明

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



汽车照明MOS管 10N04的产品引脚图:

image.png



汽车照明MOS管 10N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)10A
漏极电流-连续(TA=70℃)6.7
IDM漏极电流-脉冲50
EAS单脉冲雪崩能量31mJ
IAS雪崩电流25A
PD总耗散功率 TA=25℃1.9W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻15



汽车照明MOS管 10N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4044
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=7A


1822

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


2330
VGS(th)
栅极开启电压11.42.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
9.8
nC
Qgs栅源电荷密度
2.8
Qgd栅漏电荷密度
3.9
Ciss输入电容
1013
pF
Coss输出电容
107
Crss反向传输电容
76
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间
40.4
td(off)关断延迟时间
22.8
tf
开启下降时间
6.4


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