增强型MOS 120N03 TO-252 120A贴片MOS管 低内阻场效应管
增强型MOS 120N03的引脚图：
增强型MOS 120N03的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
增强型MOS 120N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：360A
单脉冲雪崩能量 EAS：144.7mJ
雪崩电流 IAS：53.8A
总耗散功率 PD：43.4W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：75℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.88℃/W
增强型MOS 120N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 2.8 | 4 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 4.8 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 10.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2680 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 393 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 330 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 23 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 28 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 74 | |||
| tf | 开启下降时间 | 36 |
扫二维码进入手机网站