贴片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 国产场效应管

贴片NMOS管 10N03的主要特点：

• V_DS=30V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜20mΩ@V_GS=10V(Type：17mΩ)

• 封装形式：SOT89-3L
  

贴片NMOS管 10N03的应用领域：

• 锂电池保护

• 手机快充
  

贴片NMOS管 10N03的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：10A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：30A

• 总耗散功率 P_D：1W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：125℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：85℃/W

贴片NMOS管 10N03的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)