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低压贴片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L
低压贴片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50N02
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:低压贴片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L NMOS MCU驱动用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压贴片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L NMOS MCU驱动用MOS管



低压贴片MOSFET 50N02的主要特点:

  • VDS=20V

  • ID=53A

  • RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=4.5V(Type:6.2mΩ)

  • 封装形式:PDFN5X6-8L



低压贴片MOSFET 50N02的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:50A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:120A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:147.6mJ

  • 总耗散功率 PD:37W

  • 存储温度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作结温 TJ:-55~+175℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:25℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W



低压贴片MOSFET 50N02的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2024
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=25A


6.28.5
静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=10A


8.813
VGS(th)
栅极开启电压0.40.71.1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

3


Qgd栅漏电荷密度
6.4
Ciss输入电容
1458
pF
Coss输出电容
238
Crss反向传输电容
212
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

21


td(off)关断延迟时间
39
tf
开启下降时间
19


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