40VNMOS 200N04 TOLLA-8L 低压贴片MOS管 2.5mΩ 低内阻MOSFET
40VNMOS 200N04的引脚图：
40VNMOS 200N04的应用领域：
BMS 电池管理系统
BLDC 无刷直流电机
UPS 不间断电源
40VNMOS 200N04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：200A
漏极电流-脉冲 IDM：600A
单脉冲雪崩能量 EAS：525mJ
雪崩电流 IAS：35A
总耗散功率 PD：130W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：35℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.5℃/W
40VNMOS 200N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 2.7 | 4 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 95 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 15 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3162 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1099 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 157 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8.5 |
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