190A大电流MOS管 190N15 TO-220 7.5mΩ 背景照明用MOS 国产MOSFET
背景照明用MOS 190N15的产品特点：
VDS=150V
ID=190A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V(Type：6.6nΩ)
封装：TO-220
背景照明用MOS 190N15的应用领域：
DC/DC 转换器
LED 背景照明
电源管理开关
背景照明用MOS 190N15的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 150 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 190 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 140 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 550 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 506 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 53.4 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 210 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
背景照明用MOS 190N15的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 6.6 | 7.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 18 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 72 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5240 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 412 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 10 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 115 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 44 | |||
| tf | 开启下降时间 | 105 |
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