N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 国产替代MOS管
反相器用NMOS 150N20的产品特点：
VDS=200V
ID=150A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
封装：TO-247
反相器用NMOS 150N20的应用领域：
UPS
反相器
反相器用NMOS 150N20的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：200V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：150A
漏极电流-脉冲 IDM：450A
单脉冲雪崩能量 EAS：600mJ
总耗散功率 PD：750W
结到环境的热阻 RθJA：40℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.45℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：150℃
反相器用NMOS 150N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | 220 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=80A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3.6 | 4.3 | 5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 50 | 65 | S | |
| Qg | 栅极电荷 | 170 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 30 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 50 | |||
| Ciss | 输入电容 | 15000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1000 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 420 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 90 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 140 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 220 | |||
| tf | 开启下降时间 | 180 |
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