宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » UPS用NMOS管 120N06 TO-263

产品分类

Product Categories
UPS用NMOS管 120N06 TO-263
UPS用NMOS管 120N06 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N06
产品封装:TO-263
产品标题:UPS用NMOS管 120N06 TO-263 65V/125A 低内阻MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


UPS用NMOS管 120N06 TO-263 65V/125A 低内阻MOSFET



UPS用NMOS管 120N06的应用场合:

  • 锂电保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



UPS用NMOS管 120N06的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:65V

  • 栅极-源极电压 VGS:±25V

  • 漏极电流-连续 ID:125A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:492A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:225mJ

  • 雪崩电流 IAS:55A

  • 总耗散功率 PD:172W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



UPS用NMOS管 120N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6572
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=55A


4.85.6
VGS(th)
栅极开启电压22.84V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
77
nC
Qgs栅源电荷密度

18


Qgd栅漏电荷密度
30
Ciss输入电容
3135
pF
Coss输出电容
521
Crss反向传输电容
306
td(on)开启延迟时间
15
ns
tr开启上升时间

89


td(off)关断延迟时间
36
tf
开启下降时间
91



产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map