国产MOSFET 120N06 TO-220 65V低压NMOS 插件大电流MOS
国产MOSFET 120N06的产品特点：
VDS=65V
ID=125A
RDS(ON)＜5.6mΩ@VGS=10V(Type：4.8mΩ)
封装：TO-220
国产MOSFET 120N06的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 65 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±25 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 125 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 492 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 225 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 55 | A |
| PD | 总耗散功率 | 172 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.4 |
国产MOSFET 120N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 65 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=55A | 4.8 | 5.6 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.8 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 77 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 18 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 30 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3135 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 521 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 306 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 89 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 36 | |||
| tf | 开启下降时间 | 91 |
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