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100P04 PDFN5X6-8L 5.8mΩ 低内阻小MOS管
100P04 PDFN5X6-8L 5.8mΩ 低内阻小MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100P04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:锂电池MOS 100P04 PDFN5X6-8L 5.8mΩ 低内阻小MOS管 低压PMOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


锂电池MOS 100P04 PDFN5X6-8L 5.8mΩ 低内阻小MOS管 低压PMOS管



低内阻小MOS管 100P04的特点:

  • VDS=-40V

  • ID=-100A

  • RDS(ON)<5.8mΩ@VGS=-10V(Type:4.6mΩ)

  • 封装:PDFN5X6-8L



低内阻小MOS管 100P04的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



低内阻小MOS管 100P04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)-100A
漏极电流-连续(TC=100℃)-66
IDM漏极电流-脉冲-300
EAS单脉冲雪崩能量400mJ
IAS
雪崩电流-50A
PD总耗散功率(TC=25℃)52.1W
RθJA
结到环境的热阻25℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.8
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



低内阻小MOS管 100P04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-40-44
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-20A


4.65.8

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


69
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.8-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
120
nC
Qgs栅源电荷密度
23
Qgd栅漏电荷密度
29
Ciss输入电容
7000
pF
Coss输出电容
950
Crss反向传输电容
735
td(on)开启延迟时间
18
ns
tr开启上升时间
12
td(off)关断延迟时间
80
tf
开启下降时间
20


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