宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 100P02 TO-252 UPS用大电流MOS

产品分类

Product Categories
100P02 TO-252 UPS用大电流MOS
100P02 TO-252 UPS用大电流MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100P02
产品封装:TO-252
产品标题:国产PMOS管 100P02 TO-252 UPS用大电流MOS 6.5mΩ 超低内阻MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产PMOS管 100P02 TO-252 UPS用大电流MOS 6.5mΩ 超低内阻MOS



国产PMOS管 100P02的产品应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



国产PMOS管 100P02的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续(TC=25℃)-100A
漏极电流-连续(TC=70℃)-40
IDM漏极电流-脉冲-300
PD总耗散功率(TC=25℃)30W
总耗散功率(TC=70℃)19
RθJA
结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.1
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



国产PMOS管 100P02的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


4.56.5

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


68
VGS(th)
栅极开启电压-0.45-0.65-1.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度
9.1
Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
5783
pF
Coss输出电容
509
Crss反向传输电容
431
td(on)开启延迟时间
15.8
ns
tr开启上升时间
76.8
td(off)关断延迟时间
193
tf
开启下降时间
186.4


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map