替换MOSFET 100N03 TO-251 30VN沟道MOS管 大电流场效应管
替换MOSFET 100N03的产品特点：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
封装：TO-251
替换MOSFET 100N03的引脚图：
替换MOSFET 100N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 100 | A |
| 漏极电流-连续 TC=75℃ | 55 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 240 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 56 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 15 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 46 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 2.72 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.72 |
替换MOSFET 100N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 4.5 | 6.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 7.5 | 12 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 33.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1614 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 245 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 215 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 35.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 |
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