宇芯微 低压MOSFET 90N02 TO-252 超低内阻NMOS 3.5mΩ UPS用场效应管
低压MOSFET 90N02的产品主要参数：
VDS=20V
ID=90A
RDS(ON)＜3.5mΩ@VGS=4.5V(Type：2.8mΩ)
封装：TO-252
低压MOSFET 90N02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：90A
漏极电流-脉冲 IDM：360A
单脉冲雪崩能量 EAS：110mJ
总耗散功率 PD：81W
结到管壳的热阻 RθJC：1.85℃/W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
低压MOSFET 90N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=30A | 2.8 | 3.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 4 | 6 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3200 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 460 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 445 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 37 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 63 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
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