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80P10 TO-252 -100V 马达用PMOS管
80P10 TO-252 -100V 马达用PMOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80P10
产品封装:TO-252
产品标题:PMOS国产替换 80P10 TO-252 -100V 马达用PMOS管 MOSFET选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


PMOS国产替换 80P10 TO-252 -100V 马达用PMOS管 MOSFET选型



马达用PMOS管 80P10的产品特点:

  • VDS=-100V

  • ID=-80A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V(Type:20mΩ)

  • 封装:TO-252



马达用PMOS管 80P10的应用领域:

  • 马达

  • UPS 不间断电源



马达用PMOS管 80P10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-100V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-80A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-300A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:174mJ

  • 雪崩电流 IAS:-50A

  • 总耗散功率 PD:280W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:0.65℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W



马达用PMOS管 80P10的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-100

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-20A


2025
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


2530
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
80
nC
Qgs栅源电荷密度

15.6


Qgd栅漏电荷密度
17.2
Ciss输入电容
4230
pF
Coss输出电容
388
Crss反向传输电容
26
td(on)开启延迟时间
26
ns
tr开启上升时间

78


td(off)关断延迟时间
200
tf
开启下降时间
210


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