低内阻场效应管 80G03 PDFN5X6-8L 低压N+PMOS管 应用于无线充
低压N+PMOS管 80G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-72A
RDS(ON)＜8mΩ@VGS=-10V(Type：6.2mΩ)
低压N+PMOS管 80G03的管脚图：
低压N+PMOS管 80G03的应用领域：
无线充电
马达
低压N+PMOS管 80G03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 80 | -72 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 52.5 | -57.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 243 | -210 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 389 | 478 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 80 | 72 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.3 | 1.3 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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