N型MOSFET 70N12 PDFN5X6-8L 120V小封装MOS 家电用场效应管
120V小封装MOS 70N12的应用场合：
手机快充
无刷马达
家用电器控制板
120V小封装MOS 70N12的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 120 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 70 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 35 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 150 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 53.8 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 140 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳热阻 | 0.89 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
120V小封装MOS 70N12的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | 125 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 10 | 13 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 15 | 18 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 33 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2640 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 330 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 11 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 10 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 85 | |||
| tf | 开启下降时间 | 112 |
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