国产替代MOS 60N25 TO-263 贴片250VNMOS管 UPS用场效应管
国产替代MOS 60N25的应用领域：
UPS
BLDC
国产替代MOS 60N25的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：250V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：60A
漏极电流-脉冲 IDM：230A
单脉冲雪崩能量 EAS：300mJ
雪崩电流 IAS：45A
总耗散功率 PD：360W
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.45℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产替代MOS 60N25的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=35A | 28 | 33 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3.6 | 5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 200 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 28 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 60 | |||
| Ciss | 输入电容 | 7000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 480 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 210 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 45 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 70 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 110 | |||
| tf | 开启下降时间 | 90 |
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